NPN transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

NPN transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Antal
Enhedspris
10-49
0.34kr
50-99
0.29kr
100-199
0.26kr
200+
0.22kr
+892 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 3161
Minimum: 10

NPN transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): -. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Kollektorstrøm: 100mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 0.2A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. Emballage: Ammo Pack. FT: 250 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 200mA. Komponentfamilie: PNP transistor. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. Max hFE-forstærkning: 300. Max temperatur: +150°C.. Minimum hFE-forstærkning: 100. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Polaritet: bipolar. Producentens mærkning: 2N3906. RoHS: ja. Spænding (samler - emitter): 40V. Teknologi: Si-epitaksial plantransistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Diodes Inc. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N3906
38 parametre
Hus
TO-92
Samler-emitter spænding Uceo [V]
40V
Samlerstrøm Ic [A], max.
200mA
Kollektorstrøm
100mA
Hus (i henhold til datablad)
TO-92Ammo-Pack
Kollektor/emitterspænding Vceo
40V
Afskæringsfrekvens ft [MHz]
250 MHz
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
0.2A
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
Emballage
Ammo Pack
FT
250 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
200mA
Komponentfamilie
PNP transistor
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
0.625W
Max hFE-forstærkning
300
Max temperatur
+150°C.
Minimum hFE-forstærkning
100
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.25V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.625W
Polaritet
bipolar
Producentens mærkning
2N3906
RoHS
ja
Spænding (samler - emitter)
40V
Teknologi
Si-epitaksial plantransistor
Type transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Diodes Inc
Minimumsmængde
10