NPN transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

NPN transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Antal
Enhedspris
10-49
0.55kr
50-99
0.49kr
100-199
0.43kr
200+
0.36kr
+4018 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 2021
Minimum: 10

NPN transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 600mA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 100 MHz. Frekvens: 400MHz. Få HFE: 240. Halvledermateriale: silicium. Komponentfamilie: PNP transistor. Konditionering: Ammo Pack. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. Max hFE-forstærkning: 240. Max temperatur: +150°C.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Omkostninger): 6pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Polaritet: bipolar. Producentens mærkning: 2N5401. RoHS: ja. Spec info: 2N5401. Spænding (samler - emitter): 150V. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Diotec Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2N5401
41 parametre
Hus
TO-92
Hus (JEDEC-standard)
TO-226AA
Samler-emitter spænding Uceo [V]
160V
Samlerstrøm Ic [A], max.
600mA
Kollektorstrøm
0.6A
Hus (i henhold til datablad)
TO-92
Kollektor/emitterspænding Vceo
150V
Afskæringsfrekvens ft [MHz]
100 MHz
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
600mA
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
100 MHz
Frekvens
400MHz
Få HFE
240
Halvledermateriale
silicium
Komponentfamilie
PNP transistor
Konditionering
Ammo Pack
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
0.625W
Max hFE-forstærkning
240
Max temperatur
+150°C.
Minimum hFE-forstærkning
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.2V
Omkostninger)
6pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.625W
Polaritet
bipolar
Producentens mærkning
2N5401
RoHS
ja
Spec info
2N5401
Spænding (samler - emitter)
150V
Type transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Diotec Semiconductor
Minimumsmængde
10

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2N5401