NPN transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

NPN transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Antal
Enhedspris
1-4
1.53kr
5-49
1.22kr
50-99
1.07kr
100-199
0.98kr
200+
0.84kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige
Antal på lager: 100

NPN transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92, 2-5F1B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -...+125°C. FT: 80 MHz. Funktion: lydforstærker. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Omkostninger): 4pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC1162. Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
2SA1015GR
26 parametre
Kollektorstrøm
0.15A
Hus
TO-92
Hus (i henhold til datablad)
TO-92, 2-5F1B
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-...+125°C
FT
80 MHz
Funktion
lydforstærker
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.3V
Max hFE-forstærkning
400
Minimum hFE-forstærkning
200
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.1V
Omkostninger)
4pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.4W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) 2SC1162
Teknologi
Epitaksial type (PCT-proces)
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba