NPN transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

NPN transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Antal
Enhedspris
10-49
0.73kr
50-99
0.63kr
100-199
0.55kr
200+
0.44kr
Antal på lager: 8959
Minimum: 10

NPN transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -...+125°C. FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 1015 Y. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Omkostninger): 4pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC1815Y. Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces). Temperatur: +125°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 01:37

Teknisk dokumentation (PDF)
2SA1015Y
28 parametre
Kollektorstrøm
0.15A
Hus
TO-92
Hus (i henhold til datablad)
TO-92
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-...+125°C
FT
80 MHz
Funktion
hFE.120-240
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
240
Minimum hFE-forstærkning
120
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
1015 Y
Mætningsspænding VCE (sat)
0.1V
Omkostninger)
4pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.4W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) 2SC1815Y
Teknologi
Epitaksial type (PCT-proces)
Temperatur
+125°C
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba
Minimumsmængde
10