NPN transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

NPN transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Antal
Enhedspris
1-4
11.23kr
5-24
9.52kr
25-49
8.38kr
50-99
7.77kr
100+
6.84kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 172

NPN transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 2A. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 100. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: B647. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD667. Temperatur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Renesas Technology. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB647
25 parametre
Kollektorstrøm
1A
Hus
TO-92
Hus (i henhold til datablad)
TO-92M ( 9mm )
Kollektor/emitterspænding Vceo
80V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
140 MHz
Funktion
generelt formål
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
2A
Max hFE-forstærkning
200
Minimum hFE-forstærkning
100
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
B647
Mætningsspænding VCE (sat)
1V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.9W
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) 2SD667
Temperatur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Renesas Technology

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til 2SB647