NPN transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

NPN transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

Antal
Enhedspris
1-4
18.30kr
5-9
15.48kr
10-24
13.80kr
25-49
12.67kr
50+
11.46kr
+3 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 53

NPN transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. Collector Current IC [A]: 8A, 12A. Effekt: 100W. FT: 10 MHz. Frekvens: 10MHz, 15MHz. Få HFE: 20...200. Halvledermateriale: silicium. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 55. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: B668. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Polaritet: bipolar. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD718. Spænding (samler - emitter): 120V, 140V. Temperatur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Korea Electronics Semi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
2SB688
26 parametre
Hus
TO-3PN ( 2-16C1B )
Kollektorstrøm
8A
Hus (i henhold til datablad)
TO-3PN
Kollektor/emitterspænding Vceo
120V
Antal terminaler
3
Collector Current IC [A]
8A, 12A
Effekt
100W
FT
10 MHz
Frekvens
10MHz, 15MHz
Få HFE
20...200
Halvledermateriale
silicium
Max hFE-forstærkning
160
Minimum hFE-forstærkning
55
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
B668
Mætningsspænding VCE (sat)
2.5V
Pd (Strømafledning, maks.) )
80W
Polaritet
bipolar
Spec info
komplementær transistor (par) 2SD718
Spænding (samler - emitter)
120V, 140V
Temperatur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Korea Electronics Semi.