NPN transistor 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V
Antal
Enhedspris
1-4
5.76kr
5-24
4.92kr
25-49
4.37kr
50-99
3.96kr
100+
3.40kr
| Antal på lager: 18 |
NPN transistor 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): MINI MOLD. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 80 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 0.2A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Max hFE-forstærkning: 460. Minimum hFE-forstærkning: 160. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: AQ. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Omkostninger): 2.7pF. RoHS: ingen. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD601. Type transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Matsushita. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
2SB709
23 parametre
Kollektorstrøm
0.1A
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
MINI MOLD
Kollektor/emitterspænding Vceo
25V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
80 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
0.2A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.5V
Max hFE-forstærkning
460
Minimum hFE-forstærkning
160
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
AQ
Mætningsspænding VCE (sat)
0.3V
Omkostninger)
2.7pF
RoHS
ingen
Spec info
komplementær transistor (par) 2SD601
Type transistor
PNP
Vcbo
25V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Matsushita