NPN transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

NPN transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Antal
Enhedspris
10-49
0.63kr
50-99
0.54kr
100-199
0.46kr
200+
0.36kr
+3333 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 845
Minimum: 10

NPN transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collector-Emitter Spænding VCEO: -50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Darlington-transistor?: ingen. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 1W. FT: 280 MHz. Halvledermateriale: silicium. Maksimal frekvens: 280MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. Polaritet: PNP. RoHS: ja. Teknologi: Epitaksial plan transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Cdil. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 08:56

Teknisk dokumentation (PDF)
BC212B
28 parametre
Collector-Emitter Spænding VCEO
-50V
Kollektorstrøm
100mA
Hus
TO-92
Hus (i henhold til datablad)
TO-92
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Darlington-transistor?
ingen
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
1W
FT
280 MHz
Halvledermateriale
silicium
Maksimal frekvens
280MHz
Max hFE-forstærkning
400
Minimum hFE-forstærkning
200
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.1V
Pd (Strømafledning, maks.) )
350mW
Polaritet
PNP
RoHS
ja
Teknologi
Epitaksial plan transistor
Type transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Cdil
Minimumsmængde
10

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til BC212B