NPN transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

NPN transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Antal
Enhedspris
10-24
0.37kr
25-99
0.26kr
100-499
0.21kr
500+
0.18kr
Antal på lager: 378
Minimum: 10

NPN transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 100 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 200mA. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 125. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 3A. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode 3A. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 07/11/2025, 22:43

Teknisk dokumentation (PDF)
BC856A
23 parametre
Kollektorstrøm
100mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
65V
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
100 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
200mA
Max hFE-forstærkning
250
Minimum hFE-forstærkning
125
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
3A
Mætningsspænding VCE (sat)
0.075V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.25W
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode 3A
Type transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors
Minimumsmængde
10