NPN transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

NPN transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Antal
Enhedspris
10-49
0.32kr
50-99
0.29kr
100+
0.25kr
Antal på lager: 45
Minimum: 10

NPN transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Antal terminaler: 3. Darlington-transistor?: ingen. Driftstemperatur: °C. FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 200mA. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 125. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 3E. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC857A
25 parametre
Kollektorstrøm
100mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
45V
Antal terminaler
3
Darlington-transistor?
ingen
Driftstemperatur
°C
FT
100 MHz
Funktion
generelt formål
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
200mA
Max hFE-forstærkning
250
Minimum hFE-forstærkning
125
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
3E
Mætningsspænding VCE (sat)
0.075V
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.25W
RoHS
ja
Spec info
SMD 3E
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors
Minimumsmængde
10