NPN transistor BC859C, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 200mA. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 3 G. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode 3G/4C. Teknologi: Epitaksial plan transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Diodes Inc. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34