NPN transistor BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

NPN transistor BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Antal
Enhedspris
10-49
0.36kr
50-99
0.30kr
100+
0.27kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 2204
Minimum: 10

NPN transistor BC860C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrøm: 0.1A. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Bemærk: komplementær transistor (par) BC850C. C (i): 10pF. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 100mA. Darlington-transistor?: ingen. Driftstemperatur: -68...+150°C. Effekt: 0.25W. FT: 100 MHz. Frekvens: 100MHz, 150MHz. Funktion: generelt formål. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 4G. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Omkostninger): 4.5pF. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode 4G. Spænding (samler - emitter): 50V, 45V. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Nexperia. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34

Teknisk dokumentation (PDF)
BC860C
34 parametre
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Kollektorstrøm
0.1A
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
45V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Bemærk
komplementær transistor (par) BC850C
C (i)
10pF
CE-diode
ingen
Collector Current IC [A]
100mA
Darlington-transistor?
ingen
Driftstemperatur
-68...+150°C
Effekt
0.25W
FT
100 MHz
Frekvens
100MHz, 150MHz
Funktion
generelt formål
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
0.65V
Max hFE-forstærkning
800
Minimum hFE-forstærkning
420
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
4G
Mætningsspænding VCE (sat)
0.075V
Omkostninger)
4.5pF
Polaritet
bipolar
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode 4G
Spænding (samler - emitter)
50V, 45V
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Nexperia
Minimumsmængde
10