NPN transistor BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. BE-modstand: 4.7k Ohms. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 150 MHz. Funktion: PNP Silicon Digital Transistor. Halvledermateriale: silicium. Minimum hFE-forstærkning: 50. Modstand B: 4.7k Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: XUs. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 20:34