NPN transistor BD682, TO-126, SOT-32, -100V, 4A, 100V, 4A, 100V. Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Collector-Emitter Spænding VCEO: -100V. Kollektorstrøm: 4A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: -. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. BE-modstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja. Collector Current IC [A]: 4A. Collector-basis spænding VCBO: -100V. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 750. Darlington-transistor?: ja. Effekt: 40W. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Få HFE: 750. Halvledermateriale: silicium. Indbygget diode: ja. Information: -. Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. MSL: -. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. Max hFE-forstærkning: -. Max temperatur: +150°C.. Minimum hFE-forstærkning: 750. Montering / installation: THT. Monteringstype: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Nuværende Max 1: -4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Polaritet: bipolar. Producentens mærkning: BD682. RoHS: ja. Serie: BD682. Spec info: komplementær transistor (par) BD681. Spænding (samler - emitter): 100V. Type transistor: PNP. Type: Darlington transistor. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14