NPN transistor BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ja. Bemærk: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 20A. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 2. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BDT65C. Teknologi: Darlington transistor. Temperatur: +150°C. Tf (maks.): 2.5us. Tf (min): 0.5us. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 2.5V. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14