NPN transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

NPN transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Antal
Enhedspris
1-4
3.60kr
5-49
2.98kr
50-99
2.59kr
100-199
2.33kr
200+
2.00kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget. Sidste varer tilgængelige
Antal på lager: 192

NPN transistor BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: ingen. BE-modstand: 150 Ohms. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 200 MHz. Funktion: høj jævnstrøm, relædrivere, lampedrivere. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 2A. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.25W. Spec info: komplementær transistor (par) BSP50. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
BSP60-115
24 parametre
Kollektorstrøm
1A
Hus
SOT-223 ( TO-226 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-223
Kollektor/emitterspænding Vceo
45V
BE-diode
ingen
BE-modstand
150 Ohms
CE-diode
ja
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
200 MHz
Funktion
høj jævnstrøm, relædrivere, lampedrivere
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
2A
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1.3V
Max hFE-forstærkning
2000
Minimum hFE-forstærkning
1000
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Pd (Strømafledning, maks.) )
1.25W
Spec info
komplementær transistor (par) BSP50
Type transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors