NPN transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Antal
Enhedspris
10-24
0.75kr
25-49
0.65kr
50-99
0.59kr
100+
0.50kr
Antal på lager: 65
Minimum: 10

NPN transistor DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. BE-modstand: 47k Ohms. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: PNP-modstandsudstyret transistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 100mA. Minimum hFE-forstærkning: 100. Modstand B: 4.7k Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Omkostninger): 3pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: serigrafi/SMD-kode 19. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Originalt produkt fra producenten: Nxp Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 13:03

Teknisk dokumentation (PDF)
DTA143ZT
26 parametre
Kollektorstrøm
100mA
Hus
SOT-23 ( TO-236 )
Hus (i henhold til datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor/emitterspænding Vceo
50V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
BE-modstand
47k Ohms
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
Funktion
PNP-modstandsudstyret transistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
100mA
Minimum hFE-forstærkning
100
Modstand B
4.7k Ohms
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.1V
Omkostninger)
3pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
0.25W
RoHS
ja
Spec info
serigrafi/SMD-kode 19
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
10V
Originalt produkt fra producenten
Nxp Semiconductors
Minimumsmængde
10