NPN transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

NPN transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Antal
Enhedspris
1-4
17.67kr
5-29
15.50kr
30-59
13.92kr
60+
12.81kr
Antal på lager: 18

NPN transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( H ) IS. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. FT: 10 MHz. Funktion: Højeffekt lydforstærker. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 55. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: B778. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Omkostninger): 280pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) KTD998. Temperatur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: Korea Electronics Semi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
KTB778
26 parametre
Kollektorstrøm
10A
Hus
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P ( H ) IS
Kollektor/emitterspænding Vceo
120V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
FT
10 MHz
Funktion
Højeffekt lydforstærker
Halvledermateriale
silicium
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
30
Max hFE-forstærkning
160
Minimum hFE-forstærkning
55
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
B778
Mætningsspænding VCE (sat)
2.5V
Omkostninger)
280pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
80W
Spec info
komplementær transistor (par) KTD998
Temperatur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
Korea Electronics Semi.