NPN transistor MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 150V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 50W. FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 16A. Maksimal frekvens: 30MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15031G. Type transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 05:05