NPN transistor MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V

NPN transistor MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V

Antal
Enhedspris
1-4
18.12kr
5-24
15.96kr
25-49
14.24kr
50-99
12.78kr
100+
10.83kr
Antal på lager: 60

NPN transistor MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. Bemærk: komplementær transistor (par) MJE15034G. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 8A. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 10. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Omkostninger): 2.5pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
MJE15035G
25 parametre
Kollektorstrøm
4A
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Kollektor/emitterspænding Vceo
350V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
Bemærk
komplementær transistor (par) MJE15034G
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
8A
Max hFE-forstærkning
100
Minimum hFE-forstærkning
10
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.5V
Omkostninger)
2.5pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
50W
RoHS
ja
Spec info
hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc
Type transistor
PNP
Vcbo
350V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor