| +294 hurtigt | |
| Antal på lager: 74 |
NPN transistor MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V
Antal
Enhedspris
1-4
5.22kr
5-24
4.49kr
25-49
3.84kr
50-99
3.29kr
100+
2.49kr
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Antal på lager: 496 |
NPN transistor MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 65MHz. Funktion: -. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Omkostninger): 120pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE200. Type transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
MJE210G
20 parametre
Kollektorstrøm
5A
Hus
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Hus (i henhold til datablad)
TO-225
Kollektor/emitterspænding Vceo
40V
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
65MHz
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
1.8V
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.3V
Omkostninger)
120pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
15W
Spec info
komplementær transistor (par) MJE200
Type transistor
PNP
Vcbo
25V
Vebo
8V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor