NPN transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA
Antal
Enhedspris
1-99
9.22kr
100+
5.75kr
| +65 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 1075 |
NPN transistor MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Collector-Emitter Spænding VCEO: -300V. Hus: TO-126. Kollektorstrøm: -0.5A. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: -. Antal terminaler: 3. Effekt: 20W. Komponentfamilie: højspændings PNP transistor. Konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. Maksimal frekvens: 10MHz. Max temperatur: +150°C.. Polaritet: PNP. Producentens mærkning: MJE350G. RoHS: ja. Type transistor: Power transistor. Originalt produkt fra producenten: Onsemi. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
MJE350G
18 parametre
Collector-Emitter Spænding VCEO
-300V
Hus
TO-126
Kollektorstrøm
-0.5A
Hus (JEDEC-standard)
TO-225
Samler-emitter spænding Uceo [V]
300V
Samlerstrøm Ic [A], max.
500mA
Antal terminaler
3
Effekt
20W
Komponentfamilie
højspændings PNP transistor
Konfiguration
Gennemgående hulmontering af printkort
Maksimal dissipation Ptot [W]
20W
Maksimal frekvens
10MHz
Max temperatur
+150°C.
Polaritet
PNP
Producentens mærkning
MJE350G
RoHS
ja
Type transistor
Power transistor
Originalt produkt fra producenten
Onsemi