NPN transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

NPN transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Antal
Enhedspris
1-4
59.81kr
5-14
54.59kr
15-29
50.53kr
30-59
46.92kr
60+
41.25kr
Antal på lager: 49

NPN transistor MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementær bipolær krafttransistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 25A. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Produktionsdato: 201446. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) MJW3281A. Teknologi: Power bipolær transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
MJW1302AG
26 parametre
Kollektorstrøm
15A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Kollektor/emitterspænding Vceo
230V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
Komplementær bipolær krafttransistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
25A
Max hFE-forstærkning
200
Minimum hFE-forstærkning
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Produktionsdato
201446
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) MJW3281A
Teknologi
Power bipolær transistor
Type transistor
PNP
Vcbo
230V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor