| Antal på lager: 11 |
NPN transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V
Antal
Enhedspris
1-4
39.00kr
5-14
34.10kr
15-29
30.78kr
30-59
28.48kr
60+
25.30kr
| Udsolgt | |
| Ækvivalens tilgængelig | |
| Lassen Sie sich per E-Mail benachrichtigen, wenn dieses Produkt wieder auf Lager ist! | |
NPN transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: Komplementær bipolær krafttransistor. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 25A. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 2.8pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Produktionsdato: 201444 201513. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) MJW1302A. Teknologi: Power bipolær transistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
MJW3281AG
27 parametre
Kollektorstrøm
15A
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Kollektor/emitterspænding Vceo
230V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
Komplementær bipolær krafttransistor
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
25A
Max hFE-forstærkning
200
Minimum hFE-forstærkning
50
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
2.8pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Produktionsdato
201444 201513
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) MJW1302A
Teknologi
Power bipolær transistor
Type transistor
NPN
Vcbo
230V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor
Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til MJW3281AG
| Antal på lager: 30 |