NPN transistor NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

NPN transistor NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Antal
Enhedspris
1-4
59.16kr
5-14
52.00kr
15-29
46.97kr
30-59
42.52kr
60+
37.27kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 30

NPN transistor NJW3281, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. C (i): 9pF. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: lyd effektforstærker. Halvledermateriale: silicium. Ic (puls): 30A. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 45. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Omkostninger): 6pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Produktionsdato: 201452 201512. RoHS: ja. Spec info: komplementær transistor (par) NJW1302. Type transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
NJW3281
27 parametre
Kollektorstrøm
15A
Hus
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P
Kollektor/emitterspænding Vceo
250V
Antal terminaler
3
BE-diode
ingen
C (i)
9pF
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
lyd effektforstærker
Halvledermateriale
silicium
Ic (puls)
30A
Max hFE-forstærkning
150
Minimum hFE-forstærkning
45
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
0.4V
Omkostninger)
6pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
200W
Produktionsdato
201452 201512
RoHS
ja
Spec info
komplementær transistor (par) NJW1302
Type transistor
NPN
Vcbo
250V
Vebo
5V
Originalt produkt fra producenten
ON Semiconductor

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til NJW3281