NPN transistor MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrøm: 0.6A. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Antal terminaler: 3. BE-diode: ingen. CE-diode: ingen. Collector Current IC [A]: 0.6A. 600mA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 225mW. FT: 200 MHz. Halvledermateriale: silicium. Konditioneringsenhed: 3000. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 30. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 2T. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Polaritet: bipolar. RoHS: ja. Spænding (samler - emitter): 40V. Tf (maks.): 30 ns. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten: ON Semiconductor. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:37