NPN transistor NTE219, 15A, 60V

NPN transistor NTE219, 15A, 60V

Antal
Enhedspris
1-4
62.76kr
5-9
57.70kr
10-14
53.68kr
15-29
50.25kr
30+
45.60kr
Antal på lager: 13

NPN transistor NTE219, 15A, 60V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: ingen. Bemærk: komplementær transistor (par) NTE219. CE-diode: ingen. Driftstemperatur: -65...+200°C. FT: 2.5 MHz. Halvledermateriale: silicium. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.3V. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Mængde pr tilfælde: 1. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Temperatur: +200°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalt produkt fra producenten: Nte Electronics Inc. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

NTE219
19 parametre
Kollektorstrøm
15A
Kollektor/emitterspænding Vceo
60V
BE-diode
ingen
Bemærk
komplementær transistor (par) NTE219
CE-diode
ingen
Driftstemperatur
-65...+200°C
FT
2.5 MHz
Halvledermateriale
silicium
Maksimal mætningsspænding VCE (sat)
3.3V
Max hFE-forstærkning
70
Minimum hFE-forstærkning
20
Mængde pr tilfælde
1
Mætningsspænding VCE (sat)
1.1V
Pd (Strømafledning, maks.) )
115W
Temperatur
+200°C
Type transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
7V
Originalt produkt fra producenten
Nte Electronics Inc