Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 38.57kr | 48.21kr |
2 - 2 | 36.65kr | 45.81kr |
3 - 4 | 34.72kr | 43.40kr |
5 - 9 | 32.79kr | 40.99kr |
10 - 19 | 32.02kr | 40.03kr |
20 - 29 | 31.25kr | 39.06kr |
30 - 30 | 28.55kr | 35.69kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 38.57kr | 48.21kr |
2 - 2 | 36.65kr | 45.81kr |
3 - 4 | 34.72kr | 43.40kr |
5 - 9 | 32.79kr | 40.99kr |
10 - 19 | 32.02kr | 40.03kr |
20 - 29 | 31.25kr | 39.06kr |
30 - 30 | 28.55kr | 35.69kr |
NTE130. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.5 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 15A. bemærk: hFE 20...70. bemærk: komplementær transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 00:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.