NTE219

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	57.77kr	72.21kr
2 - 2	54.88kr	68.60kr
3 - 4	51.99kr	64.99kr
5 - 9	49.10kr	61.38kr
10 - 15	47.95kr	59.94kr

Antal	U.P
1 - 1	57.77kr	72.21kr
2 - 2	54.88kr	68.60kr
3 - 4	51.99kr	64.99kr
5 - 9	49.10kr	61.38kr
10 - 15	47.95kr	59.94kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 15

Sæt med 1

NTE219. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.5 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 15A. bemærk: hFE 20...70. bemærk: komplementær transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 15/01/2025, 00:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!