P-kanal transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V

Antal
Enhedspris
1-4
10.44kr
5-24
8.95kr
25-49
7.93kr
50-99
7.07kr
100+
5.41kr
+25 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 103

P-kanal transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Hus: TO-220. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 500uA. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Boliger termisk modstand: 1.9K/W. C (i): 860pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Drænkildespænding: -100V. Effekt: 79W. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Gate-source spænding: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: P. Konditionering: tubus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 340pF. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Oplade: 38.7nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 88W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Td(fra): 39 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Tøm strøm: -14A. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9530
38 parametre
Hus
TO-220
ID (T=25°C)
12A
Idss (maks.)
500uA
Hus (i henhold til datablad)
TO-220AB
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Boliger termisk modstand
1.9K/W
C (i)
860pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Drænkildespænding
-100V
Effekt
79W
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Gate-source spænding
20V, ±20V
ID (T=100°C)
8.2A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
48A
Kanaltype
P
Konditionering
tubus
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
340pF
On-resistance Rds On
0.3 Ohms
Oplade
38.7nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
88W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Td(fra)
39 ns
Td(on)
12 ns
Teknologi
HEXFET Power MOSFET
Trr-diode (min.)
120ns
Type transistor
MOSFET
Tøm strøm
-14A
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til IRF9530