P-kanal transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

P-kanal transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Antal
Enhedspris
1-4
15.86kr
5-24
15.11kr
25-49
13.04kr
50-99
11.69kr
100+
10.81kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 146

P-kanal transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 25uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 50V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. Driftstemperatur: -55...+175°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltype: P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: D8P05. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 20A. Td(fra): 42 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: Power MOSFET MegaFET. Trr-diode (min.): 125us. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Harris. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
RFD8P05SM
28 parametre
ID (T=25°C)
8A
Idss (maks.)
25uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
50V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
Driftstemperatur
-55...+175°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
ID (T=100°C)
6A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltype
P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
D8P05
On-resistance Rds On
0.3 Ohms
Pd (Strømafledning, maks.) )
48W
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 20A
Td(fra)
42 ns
Td(on)
16 ns
Teknologi
Power MOSFET MegaFET
Trr-diode (min.)
125us
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Harris

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til RFD8P05SM