P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

Antal
Enhedspris
1-4
10.38kr
5-24
8.80kr
25-49
7.86kr
50-99
7.28kr
100+
6.41kr
+963 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 129

P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Hus: R-6. Fremadgående strøm (AV): 20A. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 20A. IFSM: 500A. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2. Cj: 110pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Diode konfiguration: uafhængig. Diode type: ensretter diode. Driftstemperatur: -50...+175°C. Fremadspænding Vf (min): 0.87V. Halvledermateriale: silicium. Information: -. MR (max): -. MR (min): 10uA. MSL: -. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Monteringstype: THT. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P2000M. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns. RoHS: ja. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Trr-diode (min.): 1500 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Originalt produkt fra producenten: Diotec Semiconductor. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 08:27

P2000M
25 parametre
Hus
R-6
Fremadgående strøm (AV)
20A
Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode
20A
IFSM
500A
Hus (i henhold til datablad)
R-6 ( 8x7.5mm )
VRRM
1000V
Antal terminaler
2
Cj
110pF
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Diode konfiguration
uafhængig
Diode type
ensretter diode
Driftstemperatur
-50...+175°C
Fremadspænding Vf (min)
0.87V
Halvledermateriale
silicium
MR (min)
10uA
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Monteringstype
THT
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
P2000M
Omvendt gendannelsestid (maks.)
1500ns
RoHS
ja
Spec info
IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)
Trr-diode (min.)
1500 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.1V
Originalt produkt fra producenten
Diotec Semiconductor