RFP12N10L

RFP12N10L. C (i): 900pF. Omkostninger): 325pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: F12N10L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 15 ns. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+155°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Teknologi: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 14/01/2025, 12:25.