Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

RJH30H2DPK-M0

RJH30H2DPK-M0
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 1 98.20kr 122.75kr
2 - 2 93.29kr 116.61kr
3 - 4 88.38kr 110.48kr
5 - 9 83.47kr 104.34kr
10 - 14 81.51kr 101.89kr
15 - 19 79.54kr 99.43kr
20 - 48 76.60kr 95.75kr
Antal U.P
1 - 1 98.20kr 122.75kr
2 - 2 93.29kr 116.61kr
3 - 4 88.38kr 110.48kr
5 - 9 83.47kr 104.34kr
10 - 14 81.51kr 101.89kr
15 - 19 79.54kr 99.43kr
20 - 48 76.60kr 95.75kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 48
Sæt med 1

RJH30H2DPK-M0. C (i): 1200pF. Omkostninger): 80pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 23 ns. Kompatibilitet: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: High Speed ​​Power Switching. Kollektorstrøm: 35A. Ic (puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Teknologi: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PSG. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 14/01/2025, 12:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.