Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 9.70kr 12.13kr
5 - 9 9.22kr 11.53kr
10 - 24 8.73kr 10.91kr
25 - 49 8.25kr 10.31kr
50 - 59 8.05kr 10.06kr
Antal U.P
1 - 4 9.70kr 12.13kr
5 - 9 9.22kr 11.53kr
10 - 24 8.73kr 10.91kr
25 - 49 8.25kr 10.31kr
50 - 59 8.05kr 10.06kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 59
Sæt med 1

SI4800BDY-T1-E3. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 5uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 4800B. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. On-resistance Rds On: 0.0155 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 32 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 1.8V. Vgs (th) min.: 0.8V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtigt skift, Power MOSFET. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 10:25.

Tilsvarende produkter :

Antal på lager : 2192
FDS8884

FDS8884

C (i): 475pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFE...
FDS8884
C (i): 475pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. On-resistance Rds On: 19m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 42 ns. Td(on): 5 ns. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1.2V. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS
FDS8884
C (i): 475pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. On-resistance Rds On: 19m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 42 ns. Td(on): 5 ns. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1.2V. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS
Sæt med 1
5.94kr moms inkl.
(4.75kr ekskl. moms)
5.94kr

Vi anbefaler også :

Antal på lager : 133
FDS6690A

FDS6690A

C (i): 1205pF. Omkostninger): 290pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 2500. Mængde pr tilfæld...
FDS6690A
[LONGDESCRIPTION]
FDS6690A
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
11.00kr moms inkl.
(8.80kr ekskl. moms)
11.00kr
Antal på lager : 228
AO4407A

AO4407A

C (i): 2060pF. Omkostninger): 370pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSF...
AO4407A
[LONGDESCRIPTION]
AO4407A
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
5.78kr moms inkl.
(4.62kr ekskl. moms)
5.78kr
Antal på lager : 196
2SC4634

2SC4634

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 10mA. bemærk: Ic--10mA/...
2SC4634
[LONGDESCRIPTION]
2SC4634
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
38.43kr moms inkl.
(30.74kr ekskl. moms)
38.43kr
Antal på lager : 53811
RC0805FR-0716RL

RC0805FR-0716RL

Nominel afledning [W @ °C]: 0.125W. Modstand: 16 Ohms. RoHS: ja . Komponentfamilie: Metal film mod...
RC0805FR-0716RL
[LONGDESCRIPTION]
RC0805FR-0716RL
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0139kr moms inkl.
(0.0111kr ekskl. moms)
0.0139kr

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.