Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 8.35kr | 10.44kr |
5 - 9 | 7.93kr | 9.91kr |
10 - 24 | 7.52kr | 9.40kr |
25 - 49 | 7.10kr | 8.88kr |
50 - 56 | 6.93kr | 8.66kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 8.35kr | 10.44kr |
5 - 9 | 7.93kr | 9.91kr |
10 - 24 | 7.52kr | 9.40kr |
25 - 49 | 7.10kr | 8.88kr |
50 - 56 | 6.93kr | 8.66kr |
SI9407BDY. C (i): 600pF. Omkostninger): 70pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (maks.): 10nA. IDss (min): 1nA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3.2W. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 35 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 10:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.