Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 639.24kr | 799.05kr |
2 - 2 | 607.28kr | 759.10kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 639.24kr | 799.05kr |
2 - 2 | 607.28kr | 759.10kr |
SKM100GAR123D. C (i): 5000pF. Omkostninger): 720pF. Kanaltype: N. Funktion: High Power IGBT. Kollektorstrøm: 100A. Ic (puls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Antal terminaler: 7. RoHS: ja . Td(fra): 450 ns. Td(on): 30 ns. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. bemærk: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 09:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.