STB120N4F6

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	19.94kr	24.93kr
5 - 9	18.94kr	23.68kr
10 - 24	17.94kr	22.43kr
25 - 49	16.95kr	21.19kr
50 - 99	16.55kr	20.69kr
100 - 249	15.08kr	18.85kr
250 - 293	14.33kr	17.91kr

Antal	U.P
1 - 4	19.94kr	24.93kr
5 - 9	18.94kr	23.68kr
10 - 24	17.94kr	22.43kr
25 - 49	16.95kr	21.19kr
50 - 99	16.55kr	20.69kr
100 - 249	15.08kr	18.85kr
250 - 293	14.33kr	17.91kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 293

Sæt med 1

STB120N4F6. C (i): 3850pF. Omkostninger): 650pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 120N4F6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 40 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: STripFET™ VI Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Skift applikationer, Automotive. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!