STF9NM60N

STF9NM60N. C (i): 452pF. Omkostninger): 30pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 324 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 100mA. IDss (min): 1mA. Mærkning på kabinettet: 9NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 0.63 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Teknologi: MDmesh™ II Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ID pulse 26A. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.