Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 9 | 4.56kr | 5.70kr |
10 - 24 | 4.33kr | 5.41kr |
25 - 49 | 4.10kr | 5.13kr |
50 - 99 | 3.87kr | 4.84kr |
100 - 249 | 3.78kr | 4.73kr |
250 - 499 | 3.69kr | 4.61kr |
500 - 971 | 3.23kr | 4.04kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 4.56kr | 5.70kr |
10 - 24 | 4.33kr | 5.41kr |
25 - 49 | 4.10kr | 5.13kr |
50 - 99 | 3.87kr | 4.84kr |
100 - 249 | 3.78kr | 4.73kr |
250 - 499 | 3.69kr | 4.61kr |
500 - 971 | 3.23kr | 4.04kr |
STN851. Omkostninger): 215pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Lavspændingshurtigt skiftende NPN-effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 30. Kollektorstrøm: 5A. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.32V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 1000. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.