Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 5.26kr | 6.58kr |
5 - 9 | 5.00kr | 6.25kr |
10 - 24 | 4.73kr | 5.91kr |
25 - 49 | 4.47kr | 5.59kr |
50 - 93 | 4.37kr | 5.46kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.26kr | 6.58kr |
5 - 9 | 5.00kr | 6.25kr |
10 - 24 | 4.73kr | 5.91kr |
25 - 49 | 4.47kr | 5.59kr |
50 - 93 | 4.37kr | 5.46kr |
STN93003. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 4. Kollektorstrøm: 1.5A. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: N93003. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 1000. Spec info: komplementær transistor (par) STN83003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 05:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.