STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK60ZR-AP. C (i): 94pF. Omkostninger): 17.6pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 135 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 1NK60ZR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. On-resistance Rds On: 13 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92Ammopak. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, ESD forbedret kapacitet. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.