STW12NK80Z

STW12NK80Z. C (i): 2620pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forbedret ESD-kapacitet. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W12NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: SuperMESH™ power MOSFET transistor beskyttet af zenerdiode. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.