US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V
Antal
Enhedspris
10-49
0.71kr
50-99
0.62kr
100-499
0.55kr
500+
0.47kr
| +889 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 4661 |
US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Hus (i henhold til datablad): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Driftstemperatur: -55...+150°C. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 5000. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap. Trr-diode (min.): 75 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Ækvivalenter: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Originalt produkt fra producenten: Smc. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 12/11/2025, 20:52
US1M
21 parametre
Fremadgående strøm (AV)
1A
IFSM
30A
Hus (i henhold til datablad)
SMA (4.6x2.8 mm)
VRRM
1000V
Antal terminaler
2
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Driftstemperatur
-55...+150°C
Fremadspænding Vf (min)
1.7V
Funktion
Ultrafast silicon rectifier diode
Halvledermateriale
silicium
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
5000
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
RoHS
ja
Spec info
IFSM--30Ap
Trr-diode (min.)
75 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.7V
Ækvivalenter
US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP
Originalt produkt fra producenten
Smc
Minimumsmængde
10