Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 55.31kr | 69.14kr |
2 - 2 | 52.54kr | 65.68kr |
3 - 4 | 49.78kr | 62.23kr |
5 - 9 | 47.01kr | 58.76kr |
10 - 13 | 45.91kr | 57.39kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 55.31kr | 69.14kr |
2 - 2 | 52.54kr | 65.68kr |
3 - 4 | 49.78kr | 62.23kr |
5 - 9 | 47.01kr | 58.76kr |
10 - 13 | 45.91kr | 57.39kr |
80EBU04. Cj: 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 80A. IFSM: 800A. MR (max): 2mA. MR (min): 50uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): POWERTAB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Bruges til: kan også bruges til solcelleanlæg. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Funktion: Ultrahurtig blød gendannelsesdiode. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 19:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.