FDC642P-F085

FDC642P-F085. C (i): 630pF. Omkostninger): 160pF. Kanaltype: P. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 250uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode FDC642P. Mærkning på kabinettet: FDC642P. Antal terminaler: 6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.2W. On-resistance Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Hus: SSOT. Hus (i henhold til datablad): SUPERSOT-6. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 20V. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.5V. Vgs (th) min.: 0.4V. Funktion: Belastningskontakt, batteribeskyttelse. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 05:25.