FDS6679AZ

FDS6679AZ. C (i): 2890pF. Omkostninger): 500pF. Kanaltype: P. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): n/a. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. On-resistance Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 210 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 02:25.