FET og MOSFET transistorer

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -100V, -6.8A, 40W. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Hus (JEDEC-standard): 40W. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRF9520. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 28 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 48W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

P-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: F9520. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 28 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 48W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -100V, -6.8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRF9520PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9.6 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 390pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 48W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

P-kanal transistor, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 860pF. Omkostninger): 340pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 88W. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 39 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 760pF. Omkostninger): 260pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, TO-220AB, -100V, -14A, 14A, -100V. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Max drænstrøm: 14A. Drain-source spænding (Vds): -100V. Producentens mærkning: IRF9530. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 760pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 79W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: P. Effekt: 75W. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

P-kanal transistor, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1400pF. Omkostninger): 590pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 130 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 34 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 400pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 51 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, 23A, -100V, TO-220AB <.45/32nsec. Max drænstrøm: 23A. Drain-source spænding (Vds): -100V. Hus: TO-220AB <.45/32nsec. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: P. Effekt: 125W. On-resistance Rds On: 0.117 Ohms

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -100V, -23A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRF9540. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 140W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

P-kanal transistor, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 170pF. Omkostninger): 50pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 7A. ID (T=100°C): 1A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 10 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -200V, -1.8A, 20W. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Hus (JEDEC-standard): 20W. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRF9610PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 170pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 350pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 20 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -200V, -3.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRF9620PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: P. Type transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 2.4 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Mængde pr tilfælde: 1

P-kanal transistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 700pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 74W. On-resistance Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 28 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, 6.5A, TO-220AB, -200V. Max drænstrøm: 6.5A. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): -200V. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: P. Effekt: 75W. On-resistance Rds On: 0.8 Ohms

P-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, -200V, -6.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRF9630PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 28 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 700pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 74W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 1200pF. Omkostninger): 370pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 39 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 125W. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, TO-220AB, -200V, -11A, 11A, -200V. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Max drænstrøm: 11A. Drain-source spænding (Vds): -200V. Producentens mærkning: IRF9640PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: P. Effekt: 125W. On-resistance Rds On: 0.5 Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: F9640S. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, -30V, -2.3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. Drain-source spænding Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, P-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Producentens mærkning: F9953. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9.7 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 190pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

P-kanal transistor, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 350pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 47 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. On-resistance Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 23 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 250uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 620pF. Omkostninger): 280pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 54ms. Type transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

P-kanal transistor, TO-220AB, -55V, -19A, 17A, -55V. Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Max drænstrøm: 17A. Drain-source spænding (Vds): -55V. Producentens mærkning: IRF9Z34NPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: -4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 13 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 620pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 68W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: P. Effekt: 56W. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C