På lager
Infineon Technologies
Infineon IR2101STRPBF MOSFET Halvbro Gate Driver, High/Low-Side, SO8, 600V
Produktreference : IR2101STRPBF
Mængderabatter — Spar ved køb
| Mængde | Enhedspris | Spare |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 21.04 kr | — |
| 5 – 9 | 13.13 kr | -38% |
| 10 – 19 | 11.82 kr | -44% |
| 20 – 49 | 11.04 kr | -48% |
| 50+Bedste pris | 10.42 kr | -50% |
Teknisk beskrivelse af produktet (IR2101STRPBF):
Infineon IR2101STRPBF MOSFET halvbro gate driver, high/low-side, SO8. Producentbetegnelse: IR2101STRPBF. RoHS: Ja. Kapsling: SO8. Effekt: 625mW. Montering: SMD. Emballagetype: Spole, bånd. Driftstemperatur: -40...125°C. Type af integreret kredsløb: Driver. Antal kanaler: 2. Forsyningsspænding: 10...20VDC. Type af integreret kredsløb: Gate driver, high/low-side. Udgangsstrøm: -270...130mA. Tændingstid: 160ns. Slukningstid: 150ns. Topologi: MOSFET halvbro. Spændingsklasse: 600V.