IRF5305

IRF5305. C (i): 1200pF. Omkostninger): 520pF. Kanaltype: P. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 71 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 39 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.